分析师：DRAM供应短缺预计持续至2027年，英伟达评估降低Rubin Ultra HBM配置

Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据 TrendForce 最新存储行业研究，DRAM 供应短缺预计将持续至 2027 年，且 HBM4e 认证时间表仍存在不确定性，英伟达自 2026 年第三季度以来一直在重新评估 Rubin Ultra 的 HBM 配置。

原计划采用 12 层堆叠 HBM4e 配置，但英伟达目前正在并行评估多种设计，包括 HBM4e 8 层堆叠、HBM4 12 层堆叠和 HBM4 8 层堆叠，最终规格尚未确认。除英伟达外，据称部分 CSP 也在考虑降低下一代自研 ASIC 的 HBM 容量。

英伟达在 2025 年至 2026 年上半年期间，将 12 层堆叠 HBM4e 作为 Rubin Ultra 的基准设计。但自 2026 年第三季度初开始，英伟达开始审查较低规格替代方案。TrendForce 称，这一变化来自两项主要供应端限制：其一，预计 2027 年整体 DRAM 短缺限制存储厂商可分配给 HBM 生产的晶圆产能；其二，12 层堆叠 HBM4e 认证时间表及量产良率提升速度仍存在不确定性。

TrendForce 表示，英伟达在 Rubin Ultra 代际的首要重点是提高 I/O 速度，扩大 GPU 出货量为次要优先事项。如果英伟达最终决定下调 HBM 规格，预计将通过减少 DRAM 堆叠层数实现。 HBM4e 能否按计划完成认证并进入量产，将决定 Rubin Ultra 的 I/O 速度能否从上一代 Rubin 的 8 至 11.7Gbps 提升至 14 至 16Gbps，或通过优化 HBM4 设计维持在 11 至 12Gbps 水平。同一产品代际内，DRAM 堆叠层数决定每颗 GPU 的 HBM 容量与可出货 GPU 数量之间的取舍。

TrendForce 还认为，最终配置将取决于存储厂商的晶圆分配决策。供需方面，2027 年 HBM bit 出货量预计同比增长 50%至 60%，但仍预计无法跟上需求增长。在供应限制持续的情况下，HBM 供应商预计将在 2027 年全年保持定价权。行业已普遍预期 HBM 价格将大幅上涨，AI 芯片制造商将面临 HBM 供应有限和采购成本上升的双重压力，从而进一步强化采用较低 HBM 容量配置的动力。